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硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法
标准编号：
GB/T 1551-1995
标准状态：
已作废
标准价格：
12.0
元
客户评分：
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标准简介
本标准规定了用直流两探针测量硅和锗单晶锭电阻率的方法。本标准适用于测量截面积均匀的圆形、方形或矩形单晶锭的电阻率。
英文名称：
Test method for rseistivity of silicon and germanium bars using a two-point probe
标准状态：
已作废
替代情况：
替代
GB 1551-1979
;
GB 5253-1985
;被GB/T 1551-2009代替
中标分类：
冶金
>>
金属理化性能试验方法
>>
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
冶金
>>
金属材料试验
>>
77.040.30金属材料化学分析
UDC分类：
669.7821.783;621.317.33
采标情况：
,
发布部门：
国家技术监督局
发布日期：
1995-04-18
实施日期：
1995-01-02
作废日期：
2010-06-01
首发日期：
1979-05-26
复审日期：
2004-10-14
归口单位：
全国半导体材料和设备标准化技术委员会
主管部门：
国家标准化管理委员会
起草单位：
上海有色金属工业总公司
页数：
平装16开， 页数：13， 字数：20千字
出版社：
中国标准出版社
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