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硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
标准编号:
GB/T 1552-1995
标准状态:
已作废
标准价格:
13.0
元
客户评分:
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标准简介
本标准规定了用直排四探针测量硅、锗单晶电阻率的方法。本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅、锗单晶的体电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍的硅、锗单晶圆片(简称圆片)的电阻率。
英文名称:
Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon and germanium with a collinear four-probe array
标准状态:
已作废
替代情况:
替代
GB 1552-1979
;
GB 5251-1985
;
GB 6615-1986
;被GB/T 1551-2009代替
中标分类:
冶金
>>
金属理化性能试验方法
>>
H21金属物理性能试验方法
ICS分类:
冶金
>>
金属材料试验
>>
77.040.30金属材料化学分析
UDC分类:
669.7821.783;621.317.33
采标情况:
NEQ ASTM F397-88
发布部门:
国家技术监督局
发布日期:
1995-04-18
实施日期:
1995-01-02
作废日期:
2010-06-01
即将作废
距离作废日期还有
515
天
首发日期:
1979-05-26
复审日期:
2004-10-14
提出单位:
中华人民共和国化学工业部
归口单位:
全国半导体材料和设备标准化技术委员会
主管部门:
国家标准化管理委员会
起草单位:
上海有色金属研究所
页数:
平装16开, 页数:17, 字数:29千字
出版社:
中国标准出版社
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