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| 英文名称： |
Resistive memory cell electrical parameter test sepcification |
 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>电子元器件与信息技术综合>>L05可靠性和可维护性 |
| ICS分类： |
电子学>>31.200集成电路、微电子学 |
| 发布部门： |
中国电子学会 |
| 发布日期： |
2022-12-31 |
| 实施日期： |
2023-01-31
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| 提出单位： |
中国电子学会可靠性分会 |
| 归口单位： |
中国电子学会可靠性分会 |
| 起草单位： |
工业和信息化部电子第五研究所、广东工业大学、中国科学院微电子研究所、北京大学、黄河科技学院 |
| 起草人： |
雷登云、韦覃如、张锋、高汭、许晓欣、来萍、黄云、黄鹏、杨东、王力纬、侯波、曲晨冰、孙宸、刘远 |
| 页数： |
12页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
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