| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| GB/T 44849-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 金属膜材料成形极限测量方法 |
国家市场监督管理总局.
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2025-05-01 |
即将实施 |
| GB/T 44839-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 MEMS材料微柱压缩试验方法 |
国家市场监督管理总局.
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2025-02-01 |
即将实施 |
| GB/T 44529-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 射频MEMS环行器和隔离器 |
国家市场监督管理总局.
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2024-09-29 |
现行 |
| GB/T 44919-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 薄膜力学性能的鼓胀试验方法 |
国家市场监督管理总局.
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2024-11-28 |
现行 |
| GB/T 44513-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法 |
国家市场监督管理总局.
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2025-01-01 |
即将实施 |
| GB/T 44842-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 薄膜材料的弯曲试验方法 |
国家市场监督管理总局.
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2024-10-26 |
现行 |
| GB/T 44517-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法 |
国家市场监督管理总局.
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2025-04-01 |
即将实施 |
| GB/T 44531-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 基于MEMS技术的车规级压力传感器技术规范 |
国家市场监督管理总局.
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2024-09-29 |
现行 |
| GB/T 44515-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 MEMS压电薄膜机电转换特性测量方法 |
国家市场监督管理总局.
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2025-01-01 |
即将实施 |
| GB/T 15449-1995 |
管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范 |
国家技术监督局
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1995-08-01 |
现行 |
| GB/T 15450-1995 |
硅双栅场效应晶体管空白详细规范 |
国家技术监督局
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1995-08-01 |
作废 |
| GB/T 15529-1995 |
半导体发光数码管空白详细规范 |
国家技术监督局
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1995-01-01 |
现行 |
| GB/T 15651.6-2023 |
半导体器件 第5-6部分：光电子器件 发光二极管 |
国家市场监督管理总局.
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2024-04-01 |
现行 |
| GB/T 26111-2023 |
微机电系统（MEMS）技术 术语 |
国家市场监督管理总局.
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2023-09-01 |
现行 |
| GB/T 32817-2016 |
半导体器件 微机电器件 MEMS总规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2017-03-01 |
现行 |
| GB/T 41852-2022 |
半导体器件 微机电器件 MEMS结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法 |
国家市场监督管理总局.
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2022-10-12 |
现行 |
| GB/T 41853-2022 |
半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量 |
国家市场监督管理总局.
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2022-10-12 |
现行 |
| GB/T 42158-2023 |
微机电系统（MEMS）技术 微沟槽和棱锥式针结构的描述和测量方法 |
国家市场监督管理总局.
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2023-07-01 |
现行 |
| GB/T 42191-2023 |
MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法 |
国家市场监督管理总局.
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2023-09-01 |
现行 |
| GB/T 42597-2023 |
微机电系统（MEMS）技术 陀螺仪 |
国家市场监督管理总局.
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2023-09-01 |
现行 |
| GB/T 43493.1-2023 |
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 |
国家市场监督管理总局.
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2024-07-01 |
现行 |
| GB/T 43493.2-2023 |
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 |
国家市场监督管理总局.
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2024-07-01 |
现行 |
| GB/T 43493.3-2023 |
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 |
国家市场监督管理总局.
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2024-07-01 |
现行 |
| SJ/T 11152-1998 |
交流粉末电致发光显示器件空白详细规范 |
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1998-05-01 |
现行 |
| T/SLEIA 0004-2024 |
集成电路芯片长期贮存技术规范 |
深圳市龙岗区电子行业.
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2024-02-26 |
现行 |