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硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

国家标准
标准编号:GB/T 14141-1993 标准状态:已作废
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标准简介
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2~3μm的薄层,测量范围为250~5000Ω;对于厚度不小于3μm的薄层,薄层电阻的测量下限可达10Ω。
英文名称:  Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
标准状态:  已作废
什么是替代情况? 替代情况:  被GB/T 14141-2009代替
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
什么是ICS分类?  ICS分类:  29.040.30
什么是UDC分类?  UDC分类:  669.782
什么是采标情况? 采标情况:  ASTM F374-1984,EQV
发布部门:  国家技术监督局
发布日期:  1993-02-06
实施日期:  1993-10-01
作废日期:  2010-06-01
首发日期:  1993-02-06
复审日期:  2004-10-14
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体材料和设备标准化技术委员会
主管部门:  国家标准化管理委员会
起草单位:  峨眉半导体材料研究所
页数:  平装16开, 页数:6, 字数:9千字
出版社:  中国标准出版社
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