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确定晶片坐标系规范

国家标准
标准编号:GB/T 16596-2019 标准状态:现行
标准价格:24.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准规定了使用直角坐标和极坐标建立晶片正面坐标系、背面坐标系和三维坐标系的程序。本标准适用于有图形和无图形的晶片坐标系的建立。该坐标系用于确定和记录晶片上的缺陷、颗粒等测试结果的准确位置。
英文名称:  Specification for establishing a wafer coordinate system
什么是替代情况? 替代情况:  替代GB/T 16596-1996
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
什么是ICS分类?  ICS分类:  电气工程>>29.045半导体材料
发布部门:  国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期:  2019-03-25
实施日期:  2020-02-01
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位:  有色金属技术经济研究院、有研半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、上海合晶硅材料有限公司
起草人:  卢立延、孙燕、潘金平、杨素心、楼春兰、胡金枝、李素青
页数:  8页
出版社:  中国标准出版社
出版日期:  2019-02-01
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半金属与半导体材料综合相关标准 第1页 
 GB/T 24575-2009  硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
 GB/T 24576-2009  高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
 GB/T 24577-2009  热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
 GB/T 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
 GB/T 24579-2009  酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
 GB/T 24580-2009  重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
 GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
 GB/T 24582-2009 酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
 GB/T 25075-2010 太阳能电池用砷化镓单晶
 GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶
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半导体材料相关标准 第1页 第2页 
 GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
 GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
 GB/T 20228-2006 砷化镓单晶
 GB/T 20228-2021 砷化镓单晶
 GB/T 20229-2006 磷化镓单晶
 GB/T 20229-2022 磷化镓单晶
 GB/T 20230-2006 磷化铟单晶
 GB/T 20230-2022 磷化铟单晶
 GB/T 24574-2009  硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
 GB/T 25074-2010 太阳能级多晶硅
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