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| 英文名称： |
Test method for deep level EL2 concentration of undoped semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method |
| 标准状态： |
已作废 |
 替代情况： |
SJ 3249.4-1989;被GB/T 17170-2015代替 |
| 中标分类： |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： |
电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布部门： |
国家技术监督局 |
| 发布日期： |
1997-01-02 |
| 实施日期： |
1998-08-01
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| 作废日期： |
2016-07-01
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| 首发日期： |
1997-12-22 |
| 复审日期： |
2004-10-14 |
| 归口单位： |
全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
| 主管部门： |
国家标准化管理委员会 |
| 起草单位： |
电子工业部第四十六研究所 |
| 页数： |
平装16开， 页数：7， 字数：9千字 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 书号： |
155066.1-14931 |
| 出版日期： |
2004-04-12 |
| 标准前页： |
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