LED发光用氮化镓基外延片 |
 |
| 标准编号：GB/T 30854-2014 |
标准状态：现行 |
|
| 标准价格：49.0 元 |
客户评分：  |
|
|
立即购买工即可享受本标准状态变更提醒服务！ |
|
|
|
|
|
本标准规定了 LED发光用氮化镓基外延片(以下简称外延片)的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。
本标准适用于 LED发光用氮化镓基外延片。 |
|
|
|
| 英文名称： |
Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting |
 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H83化合物半导体材料 |
| ICS分类： |
电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2014-07-24 |
| 实施日期： |
2015-04-01
|
| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2) |
| 起草单位： |
中国科学院半导体研究所 |
| 起草人： |
魏学成、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽、提刘旺 |
| 页数： |
28页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2015-04-01 |
|
|
|
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国科学院半导体研究所。
本标准主要起草人:魏学成、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽、提刘旺。 |
|
|
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T191 包装储运图示标志
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T6619 硅片弯曲度测试方法
GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T14140 硅片直径测量方法
GB/T14142 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T14844 半导体材料牌号表示方法
SJ/T11399 半导体二极管芯片测试方法 |
|
|
|
| |