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碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

国家标准
标准编号:GB/T 30867-2014 标准状态:现行
标准价格:24.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。
本标准适用于直径不小于30mm、厚度为0.13mm~1mm 的碳化硅单晶片
英文名称:  Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H83化合物半导体材料
什么是ICS分类?  ICS分类:  电气工程>>29.045半导体材料
发布部门:  中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:  2014-07-24
实施日期:  2015-02-01
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会
起草单位:  中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院
起草人:  丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川
页数:  8页
出版社:  中国标准出版社
出版日期:  2015-02-01
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前言
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。
本标准主要起草人:丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川。
引用标准
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