| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| T/CASAS 045-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 037-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CIE 225-2024 |
硅光芯片封装设计指南 |
中国电子学会
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2024-07-01 |
现行 |
| T/CASAS 046-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 044-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高压高温高湿反偏试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 047-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CIE 147-2022 |
空间行波管加速寿命试验评估技术规范 |
中国电子学会
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2023-01-31 |
现行 |
| T/CASAS 043-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 042-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅偏试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CEPEA 0101-2023 |
IGBT模块焊接质量X射线实时成像检测方法 |
中国电子专用设备工业.
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2024-03-15 |
现行 |
| T/CASAS 033-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 021-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFE阈值电压测试方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| DB13/T 5696-2023 |
基于高温反偏试验的GaN HEMT 射频功率器件缺陷快速筛选方法 |
河北省市场监督管理局
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2023-06-06 |
现行 |
| DB32/T 4894-2024 |
微机电系统半导体气体传感器性能检测方法 |
江苏省市场监督管理局
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2024-12-07 |
现行 |
| DB52/T 1104-2016 |
半导体器件结-壳热阻瞬态测试方法 |
贵州省质量技术监督局
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2016-10-01 |
废止 |
| GB/T 11499-2001 |
半导体分立器件文字符号 |
国家质量监督检验检疫.
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2002-06-01 |
现行 |
| GB 12300-1990 |
功率晶体管安全工作区测试方法 |
国家技术监督局
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1990-08-01 |
现行 |
| GB/T 12560-1999 |
半导体器件 分立器件分规范 |
国家质量技术监督局
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2000-03-01 |
现行 |
| GB/T 12561-1990 |
发光二极管空白详细规范(可供认证用) |
国家技术监督局
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1991-10-01 |
作废 |
| GB/T 12562-1990 |
PIN 二极管空白详细规范(可供认证用) |
信息产业部（电子）
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1991-10-01 |
作废 |
| GB/T 12846-1991 |
脉冲闸流管总规范 (可供认证用) |
国家技术监督局
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1991-01-02 |
作废 |
| GB/T 12847-1991 |
氢闸流管空白详细规范 (可供认证用) |
国家技术监督局
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1991-01-02 |
作废 |
| GB/T 13063-1991 |
电流调整和电流基准工极管 空白详细规范 |
国家技术监督局
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1992-03-01 |
作废 |
| GB/T 13066-1991 |
单结晶体管空白详细规范 |
国家技术监督局
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1992-03-01 |
作废 |
| GB/T 13150-1991 |
100A以上环境或管壳额定双向三极晶闸管空白详细规范 |
国家技术监督局
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1992-05-01 |
作废 |
| GB/T 13150-2005 |
半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的双向三级晶闸管空白详细规范 |
国家标准质量监督检验.
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2005-10-01 |
现行 |
| GB 13151-1991 |
100A以上环境或管壳额定反向阻断三极晶闸管 空白详细规范 |
国家技术监督局
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1992-05-01 |
作废 |
| GB/T 13151-2005 |
半导体器件 分立器件 第6部分：晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2005-10-01 |
现行 |
| GB/T 13152-1991 |
5A/5A以上环境或管壳额定逆导三极晶闸管空白详细规范 |
国家技术监督局
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1992-05-01 |
废止 |
| GB/T 13153-1991 |
5A以上环境或管壳额定可关断晶闸管空白详细规范 |
国家技术监督局
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1992-05-01 |
废止 |
| GB/T 15137-1994 |
体效应二极管空白详细规范 |
国家技术监督局
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1995-04-01 |
作废 |
| GB/T 15177-1994 |
微波检波、混频二极管空白详细规范 |
国家技术监督局
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1995-04-01 |
作废 |
| GB/T 15178-1994 |
变容二极管空白详细规范 |
国家技术监督局
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1995-04-01 |
作废 |
| GB/T 15291-1994 |
半导体器件 第6部分 晶闸管 |
国家技术监督局
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1995-10-01 |
作废 |
| GB/T 15291-2015 |
半导体器件 第6部分：晶闸管 |
国家质量监督检验检疫.
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2017-01-01 |
现行 |
| GB/T 15292-1994 |
晶闸管测试方法 逆导三极晶闸管 |
国家技术监督局
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1995-10-01 |
废止 |
| GB/T 15293-1994 |
晶闸管测试方法 可关断晶闸管 |
国家技术监督局
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1995-10-01 |
废止 |
| GB/T 15449-1995 |
管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范 |
国家技术监督局
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1995-08-01 |
现行 |
| GB/T 15450-1995 |
硅双栅场效应晶体管空白详细规范 |
国家技术监督局
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1995-08-01 |
作废 |
| GB/T 15529-1995 |
半导体发光数码管空白详细规范 |
国家技术监督局
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1995-01-01 |
现行 |