基于高温反偏试验的GaN HEMT 射频功率器件缺陷快速筛选方法 |
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| 标准编号：DB13/T 5696-2023 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：0.0 元 |
客户评分：  |
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本文件规定了基于高温反偏试验的GaN HEMT射频功率器件缺陷快速筛选的筛选原理、筛选条件、筛选系统构成和要求、筛选方法和判据。
本文件适用于工业级GaN HEMT射频功率器件的快速筛选,GaN HEMT射频功率模块可参照使用。 |
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本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本文件由石家庄市市场监督管理局提出。
本文件起草单位:河北博威集成电路有限公司。
本文件主要起草人:郭跃伟、王鹏、张博、王静辉、闫志峰、郝永利、王景亮、刘子浩。
本文件为首次发布。 |
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