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| 英文名称： |
Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of GaN single crystal substrate |
 中标分类： |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： |
冶金>>77.040金属材料试验 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2015-12-10 |
| 实施日期： |
2016-11-01
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| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分(SAC/TC203/SC2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分(SAC/TC203/SC2) |
| 起草单位： |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、中国科学院物理研究所、北京天科合达蓝光半导体有限公司、丹东新东方晶体仪器有限公司 |
| 起草人： |
邱 永 鑫、任 国 强、刘 争 晖、曾 雄 辉、王 建 峰、陈 小 龙、王 文 军、郑 红 军、徐 科、赵松彬 |
| 页数： |
12页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2016-11-01 |