标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
SJ 20144-1992 |
电子器件用钼杆、钼丝、钼片规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20145-1992 |
军用覆铂钼丝规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20146-1992 |
银电镀层总规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20147.1-1992 |
银和银合金镀覆层厚度测量方法 X射线荧光光谱法 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20147.2-1992 |
银和银合金镀覆层测试方法 残留盐分的测定 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20148-1992 |
军用雷达双色指示管用Y19荧光粉 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20149-1992 |
电容器用铝金属化聚酯薄膜规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ/Z 2015-1982 |
管理图总则 |
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2000-07-01 |
作废 |
SJ 20150-1992 |
电容器用铝金属化聚丙烯薄膜规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20151-1992 |
电子器件用镍带规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20152-1992 |
电子器件用镍棒、镍丝规范试验方法 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20153-1992 |
通道级电源控制接口 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20154-1992 |
信息技术设备静电放电敏感度试验 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20155-1992 |
射频辐射吸收体(微波吸收材料)的通用规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20156-1992 |
电源中减小电磁干扰的设计指南 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20157-1992 |
半导体集成电路JT54LS32和JT54LS86型LS—TTL或门详细规范 |
机械电子工业部
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20158-1992 |
半导体集成电路JT54S151、JT54S153和JT54S157型S—TTL 数据选择器详细规范 |
机械电子工业部
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20159-1992 |
半导体集成电路JT54LS155和JT54LS156型LS—TTL 译码器详细规范 |
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20160-1992 |
半导体集成电路JT54S194和JT54S195型S—TTL 移位寄存器详细规范 |
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20161-1992 |
半导体集成电路JT54LS273(373、374和377)型LS—TTL 可级联触发器详细规范 |
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20162-1992 |
半导体集成电路JT54LS283型LS—TTL 四位二进制超前进位全加器详细规范 |
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20163-1992 |
半导体集成电路Jμ8086型微处理器详细规范 |
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20164-1992 |
电子管 J305βγ型辐射计数管详细规范 |
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20165-1992 |
电子管 J405γ型辐射计数管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20166-1992 |
电子管SF—1213型硫化锑视像管详细规范 |
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20167-1992 |
电子管SF—1403型硅增强靶摄像管详细规范 |
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20168-1992 |
半导体分立器件 3DK12型功率开关晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20169-1992 |
半导体分立器件 3DK36型功率开关晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20170-1992 |
半导体分立器件 3DK37型功率开关晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20171-1992 |
半导体分立器件 3DK51型功率开关晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20172-1992 |
半导体分立器件 3DK38型功率开关晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20173-1992 |
半导体分立器件 3DK2218(2218A、2219、2219A)型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20174-1992 |
半导体分立器件 3DK2221(2221A、2222、2222A)型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20175-1992 |
半导体分立器件 3DG918型NPN硅超高频小功率晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20176-1992 |
半导体分立器件 3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20177-1992 |
半导体分立器件 3CK3634~3CK3637型PNP硅小功率开关晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20178-1992 |
半导体分立器件 3CK38型功率开关晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20179-1992 |
半导体分立器件 3CT103型反向阻断闸流晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20180-1992 |
半导体分立器件 3CT105型反向阻断闸流晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20181-1992 |
半导体分立器件 3CT107型反向阻断闸流晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |