| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| SJ 2649.2-1985 |
冷冲模 方钢丝弹簧 |
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1986-07-01 |
废止 |
| SJ 2649.3-1985 |
冷冲模 聚氨酯弹性体 |
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1986-07-01 |
废止 |
| SJ 2650.1-1985 |
冷冲模 圆柱头卸料螺钉 |
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1986-07-01 |
废止 |
| SJ 2650.2-1985 |
冷冲模 圆柱头内六角卸料螺钉 |
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1986-07-01 |
废止 |
| SJ 2651-1985 |
冷冲模 螺丝塞 |
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1986-07-01 |
废止 |
| SJ 2652-1985 |
冷冲模 冷冲模零件技术条件 |
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1986-07-01 |
废止 |
| SJ 2653-1985 |
设计文件的更改 设计文件更改的原则和方法 |
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1994-12-01 |
作废 |
| SJ 2654-1985 |
设计文件的更改 设计文件更改通知单的格式和编制方法 |
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1994-12-01 |
作废 |
| SJ/Z 2655-1986 |
锗单晶缺陷图集 |
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1986-10-01 |
废止 |
| SJ 2656-1986 |
钨的光谱分析方法 |
电子工业部
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1986-10-01 |
现行 |
| SJ 2657-1986 |
钼的光谱分析方法 |
电子工业部
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1986-10-01 |
现行 |
| SJ 2658-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 |
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1986-10-01 |
现行 |
| SJ 2658.1-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 总则 |
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1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.1-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则 |
工业和信息化部
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2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2658.10-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 调制带宽的测试方法 |
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1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.10-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽 |
工业和信息化部
|
2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2658.11-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 脉冲响应特性的测试方法 |
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1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.11-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间 |
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2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2658.12-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 峰值发射波长和光谱半宽度的测试方法 |
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1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.12-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽 |
工业和信息化部
|
2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2658.13-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 输出光功率温度系数的测量方法 |
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1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.13-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数 |
工业和信息化部
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2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2658.2-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 正向压降测试方法 |
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1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.2-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压 |
工业和信息化部
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2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2658.3-1986 |
半导休红外发光二极管测试方法 反向电压的测试方法 |
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1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.3-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流 |
工业和信息化部
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2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2658.4-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 电容的测试方法 |
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1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.4-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容 |
工业和信息化部
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2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2658.5-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 正向串联电阻的测试方法 |
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1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.5-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻 |
工业和信息化部
|
2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2658.6-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 输出光功率的测试方法 |
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1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.6-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率 |
工业和信息化部
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2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2658.7-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 辐射通量的测试方法 |
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1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.7-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量 |
工业和信息化部
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2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2658.8-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 法向辐射率的测试方法 |
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1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.8-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度 |
工业和信息化部
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2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2658.9-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 辐射强度空间分布和半强度角的测试方法 |
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1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.9-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角 |
工业和信息化部
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2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2659-1986 |
电子工业用树脂芯焊锡丝 |
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1986-10-01 |
现行 |
| SJ 2660-1986 |
软钎焊用树脂系焊剂试验方法 |
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1986-10-01 |
作废 |