硅开关二极管反向击穿电压的测试方法 |
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标准编号:SJ 966-75 |
标准状态:现行 |
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标准价格:8.0 元 |
客户评分: |
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英文名称: |
Methods of measurement for reverse breakdown voltage of silicon switching diodes |
中标分类: |
能源、核技术>>能源、核技术综合>>F01技术管理 |
发布日期: |
1975-07-26 |
实施日期: |
1976-06-01
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页数: |
2页 |
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