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标准简介


英文名称：	Detail specification for silicon NPN epitaxial planar high frequency low power high reverse voltage transistors,Type 3DG161
中标分类：	能源、核技术>>能源、核技术综合>>F01技术管理
发布日期：	1974-10-01
实施日期：	1974-10-01
页数：	8页

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