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| 英文名称： |
Test method for determining geometrical parameters of patterns on patterned sapphire substrate |
| 标准状态： |
即将实施 |
 中标分类： |
冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法 |
| ICS分类： |
冶金>>77.040金属材料试验 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2026-01-28 |
| 实施日期： |
2026-08-01
即将实施 距离实施日期还有103天 |
| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： |
广东中图半导体科技股份有限公司、徐州美兴光电科技有限公司、京东方华灿光电股份有限公司、天通银厦新材料有限公司、松山湖材料实验室、南京同溧晶体材料研究院有限公司 |
| 起草人： |
张能、米波、肖桂明、朱晶、王子荣、朱广敏、康凯、鲁雅荣、王新强、徐军、袁冶 |
| 页数： |
16页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |