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| 英文名称： |
Semiconductor devices—Discrete devices—Part 4-1:microwave diodes and transistors—Microwave field effect transistors—Blank detail specification |
 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L41半导体二极管 |
| ICS分类： |
电子学>>半导体器件>>31.080.30三极管 |
| 采标情况： |
IEC 60717-4-1:2000 IDT |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2007-06-29 |
| 实施日期： |
2007-11-01
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| 首发日期： |
2007-06-29 |
| 复审日期： |
2023-12-28 |
| 提出单位： |
信息产业部 |
| 归口单位： |
全国半导体分立器件标准化分技术委员会 |
| 主管部门： |
信息产业部（电子） |
| 起草单位： |
中国电子技术标准化研究所 |
| 起草人： |
罗发明、刘春勋 |
| 计划单号： |
20030156-T-339 |
| 页数： |
平装16开 页数：14, 字数：22千字 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2007-11-01 |
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