|
| 英文名称： |
Detail specification for electronic components-High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor,Type 4CS119 (Applicable for certification) |
| 标准状态： |
已废止 |
 替代情况： |
原标准号GB 10274-88 |
| 中标分类： |
能源、核技术>>能源、核技术综合>>F01技术管理 |
| 发布日期： |
1996-11-20 |
| 实施日期： |
1997-01-01
|
| 作废日期： |
2010-01-20
|
| 页数： |
11页 |
|