半导体分立器件 ３ＤＧ１２０型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范 |
 |
| 标准编号：SJ 20060-1992 |
标准状态：现行 |
|
| 标准价格：14.0 元 |
客户评分：  |
|
|
立即购买工即可享受本标准状态变更提醒服务！ |
|
|
|
|
|
|
本规范规定了3DG120型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求.该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级). |
|
|
|
| 英文名称： |
Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon NPN high-frequency low power transistor of Type 3DG120 |
 中标分类： |
综合>>标准化管理与一般规定>>A01技术管理 |
| 发布部门： |
中国电子工业总公司 |
| 发布日期： |
1992-11-19 |
| 实施日期： |
1993-05-01
|
| 提出单位： |
中国电子工业总公司科技质量局 |
| 归口单位： |
中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： |
中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂 |
| 起草人： |
王长福、王承琳、谢佩兰 |
| 页数： |
9页 |
| 出版社： |
电子工业出版社 |
| 出版日期： |
1993-04-01 |
| 标准前页： |
|
|
|
|
GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
GB 7092-1986 半导体集成电路外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法 |
|
|
|
| |