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半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
标准编号:
SJ 20012-1992
标准状态:
现行
标准价格:
15.0
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标准简介
本规范规定了CS4型硅N沟道蜡型场效应晶体e(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB33-8585《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。级).
英文名称:
Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS4 GP,GT and GCT classes
中标分类:
综合
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标准化管理与一般规定
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A01技术管理
发布日期:
1992-02-01
实施日期:
1992-05-01
页数:
11页
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