半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 |
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| 标准编号：SJ 20011-1992 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：14.0 元 |
客户评分：  |
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本标准规定了CS1型硅沟道结型场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。 |
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| 英文名称： |
Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS1 GP,GT and GCT classes |
 中标分类： |
综合>>标准化管理与一般规定>>A01技术管理 |
| 发布部门： |
中国电子工业总公司 |
| 发布日期： |
1992-02-01 |
| 实施日期： |
1992-05-01
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| 提出单位： |
中国电子工业总公司科技质量局 |
| 归口单位： |
中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： |
中国电子技术标准化研究所 |
| 起草人： |
王长福、吴志龙、张宗国、刘美英 |
| 页数： |
11页 |
| 出版社： |
电子工业出版社 |
| 出版日期： |
1992-04-01 |
| 标准前页： |
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GB 4586-1984 场效应晶体管测试方法
GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
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