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 冶金>>77.100铁合金 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: GB/T24583的本部分规定了红外线吸收法测定氧含量。 本部分适用于钒氮合金中氧含量的测定。 标准定价: ￥ 20.0 元         GB/T 24583.6-2009 钒氮合金 硫含量的测定 红外线吸收法 (作废) 中标分类:  冶金>>金属化学分析方法>>H11钢铁与铁合金分析方法 ICS 分类:  冶金>>77.100铁合金 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: ＧＢ／Ｔ２４５８３的本部分规定了红外线吸收法测定硫含量。 本部分适用于钒氮合金中硫含量的测定。测定范围（质量分数）：０．０１０％～０．１５０％。 标准定价: ￥ 20.0 元         GB/T 24583.5-2009 钒氮合金 磷含量的测定 铋磷钼蓝分光光度法 (作废) 中标分类:  冶金>>金属化学分析方法>>H11钢铁与铁合金分析方法 ICS 分类:  冶金>>77.100铁合金 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: ＧＢ／Ｔ２４５８３的本部分规定了铋磷钼蓝分光光度法测定磷含量。 本部分适用于钒氮合金中磷含量的测定。测定范围（质量分数）：０．０１０％～０．１００％。 标准定价: ￥ 20.0 元         GB/T 24583.4-2009 钒氮合金 碳含量的测定 红外线吸收法 (作废) 中标分类:  冶金>>金属化学分析方法>>H11钢铁与铁合金分析方法 ICS 分类:  冶金>>77.100铁合金 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: ＧＢ／Ｔ２４５８３的本部分规定了红外线吸收法测定碳含量。 本部分适用于钒氮合金中碳含量的测定。测定范围（质量分数）：１．００％～１５．００％。 标准定价: ￥ 20.0 元         GB/T 24583.3-2009 钒氮合金 氮含量的测定 蒸馏－中和滴定法 (作废) 中标分类:  冶金>>金属化学分析方法>>H11钢铁与铁合金分析方法 ICS 分类:  冶金>>77.100铁合金 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: ＧＢ／Ｔ２４５８３的本部分规定了蒸馏?中和滴定法测定氮含量。 本部分适用于钒氮合金中氮含量的测定。测定范围（质量分数）：５．００％～２０．００％。 标准定价: ￥ 20.0 元         GB/T 24583.2-2009 钒氮合金 氮含量的测定 惰性气体熔融热导法 (作废) 中标分类:  冶金>>金属化学分析方法>>H11钢铁与铁合金分析方法 ICS 分类:  冶金>>77.100铁合金 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: ＧＢ／Ｔ２４５８３的本部分规定了惰性气体熔融热导法测定氮含量。 本部分适用于钒氮合金中氮含量的测定。测定范围（质量分数）：５．００％～２０．００％。 标准定价: ￥ 20.0 元         GB/T 24583.1-2009 钒氮合金 钒含量的测定 硫酸亚铁铵滴定法 (作废) 中标分类:  冶金>>金属化学分析方法>>H11钢铁与铁合金分析方法 ICS 分类:  冶金>>77.100铁合金 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: ＧＢ／Ｔ２４５８３的本部分规定了硫酸亚铁铵滴定法测定钒含量。 本部分适用于钒氮合金中钒含量的测定。测定范围（质量分数）：≥６０．００％。 标准定价: ￥ 20.0 元         GB/T 24582-2009 酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质 (作废) 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 ICS 分类:  电气工程>>29.045半导体材料 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: 本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。 本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝的检测。 本标准适用于各种棒、块、粒、片 ... 标准定价: ￥ 24.0 元         GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法 (作废) 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 ICS 分类:  电气工程>>29.045半导体材料 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: 本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。 本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10-9~5.0×10-9)a。 标准定价: ￥ 29.0 元         GB/T 24580-2009  重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法  (现行) 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 ICS 分类:  电气工程>>29.045半导体材料 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: 本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)的测试。 1.2 本标准适用于对锑?砷?磷的掺杂浓度<0.2%(1×1020atoms/cm3)的硅材料中 ... 标准定价: ￥ 29.0 元         GB/T 24579-2009  酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物  (现行) 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 ICS 分类:  电气工程>>29.045半导体材料 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: 本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用石墨炉原子吸收定量检测多晶硅块表面上的痕量金属杂质分析方法。 本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、铝、铁、铬、镍、锌的检测。 本标准适用于各种棒、块、粒、鋉片形多晶或单晶硅表面金属污 ... 标准定价: ￥ 31.0 元         GB/T 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 (作废) 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 ICS 分类:  电气工程>>29.045半导体材料 发布日期:2009-10-30    实施日期:2009-10-30 简介: 本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X 光荧光光谱测试方法,本方法使用单色X 光源全反射X 光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。 本标准适用于N 型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片,尤其适用于清洗后硅片自然氧化层,或 ... 标准定价: ￥ 26.0 元         共有8769条符合状态条件的标准，共585页 [19] [20] [21] [22] [23] [24] 25 [26] [27] [28] [29] [30] [31] [下一页]

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